| 脉冲激光沉积SrBi2Ta2O9铁电薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 杨平雄,郑立荣,林成鲁.脉冲激光沉积SrBi2Ta2O9铁电薄膜的研究[J].科学通报,1997,42(2):220-222. |
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| 作者姓名： | 杨平雄 郑立荣 林成鲁 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所，信息功能材料国家重点实验室!上海200050，中国科学院上海冶金研究所，信息功能材料国家重点实验室!上海200050，中国科学院上海冶金研究所，信息功能材料国家重点实验室!上海200050 |
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| 摘 要： | 铁电薄膜存储器(FRAM)由于具有动态随机存储器(DRAM)快速读写功能和可擦写唯读存储器(EPROM)非挥发性,又具有抗辐照、功耗低等特性,已成为国际上固态器件研究的一个热点。铁电存储器常用的铁电材料是Pb(ZrTi)O_3(PZT)等氧化物钙钛矿结构材料。由于这些铁电材料抗疲劳性能较差,阻碍了铁电存储器的商品化进程。de Araujo等人报道了铋系层状类钙钛矿结构的铁电薄膜具有抗疲劳特性,用这类铁电材料制作的铁电存储器,在10~(12)次重复开关极化后,仍没有显示疲劳现象,并且具有很好的信息储存寿命和较低的漏电流。
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| 关 键 词： | 脉冲激光沉积 铁电薄膜 铁电材料 SBT |
| 收稿时间： | 1996-04-26 |
| 修稿时间： | 1996-09-09 |
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