肖特基结C~(-2)-V法测定n~ 埋层扩散后的n/p硅外延片表面杂质浓度

本文分析了样品中串、并联电阻及串联电容对测量结果的影响,导出了各种情况下肖特基结电容测量附加误差的表达式,进一步讨论了C~(-2)-V曲线的斜率(即表面杂质浓度)测量的附加误差。在Q表上用四种小讯号频率测量了TTL电路和某些线性电路外延片的C~(-2)-V曲线。对于外延层厚度约10μm、电阻率约0.5Ω·cm的样品,把频率降低到0.1MHz左右,表面杂质浓度测量的附加误差接近于零。