利用光致发光研究多孔硅制备参数对孔隙度影响 |
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引用本文: | 吴现成,闫大为,徐大印,甄聪棉.利用光致发光研究多孔硅制备参数对孔隙度影响[J].科技咨询导报,2008(4):10-10. |
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作者姓名: | 吴现成 闫大为 徐大印 甄聪棉 |
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作者单位: | 烟台大学光电学院物理系 山东烟台264005(吴现成,闫大为,徐大印),河北师范大学物理系 河北石家庄050000(甄聪棉) |
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摘 要: | 研究多孔硅制备参数对其光致发光行为的影响,是开发新型光电器件的基础。一般考虑三个主要因素:电流密度,腐蚀时间,溶液浓度,这些因素首先对孔隙度产生直接影响.本文提出利用光致发光探测一定辐照面积下吸附形成的Si-C键数量表征局部孔隙度的设想,并实际研究了电流密度和腐蚀时间对孔隙度的影响。结果表明,一定氢氟酸溶液浓度下随着电流密度的增大,孔隙度先变大后减小,主要有两方面的原因:第一个是临界电流,第二个是横向腐蚀的停止;随着腐蚀时间的延长,孔隙度不断变大。
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关 键 词: | 多孔硅 孔隙度 临界电流 |
文章编号: | 1674-098X(2008)02(a)-0010-01 |
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