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| HKMG技术全球相关专利分析 | |
| 作者单位： | ;1.国家知识产权局专利局专利审查协作河南中心 |
| 摘 要： | 本文从专利文献的角度对金属氧化物半导体场效应晶体管中HKMG技术的发展进行了统计分析,介绍了HKMG技术的专利布局情况,为国内相关行业提供参考。 |
| 关 键 词： | HKMG CMOS 栅极漏电流 专利分析 |
Global Patent Analysis of HKMG Technology |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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