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| ZnO/GaN异质结发光二极管光谱改善研究进展 | |
| 作者单位： | ;1.国家知识产权局专利局专利审查协作河南中心 |
| 摘 要： | ZnO缺陷发光及ZnO/GaN界面发光严重降低了n-ZnO/p-GaN发光二极管的性能。本文概述n-ZnO/p-GaN异质结的结构和发光存在的问题,详细介绍该方面的最新研究成果。通过引入界面层、利用量子限制效应等技术,使n-ZnO/p-GaN发光二极管的光谱质量和发光效率得到改善。 |
| 关 键 词： | ZnO/GaN发光二极管 界面层 量子限制效应 |
Research Progress in Spectral Improvement of ZnO/GaN Heterojunction Light Emitting Diode |
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