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ZnO/GaN异质结发光二极管光谱改善研究进展
作者单位:;1.国家知识产权局专利局专利审查协作河南中心
摘    要:ZnO缺陷发光及ZnO/GaN界面发光严重降低了n-ZnO/p-GaN发光二极管的性能。本文概述n-ZnO/p-GaN异质结的结构和发光存在的问题,详细介绍该方面的最新研究成果。通过引入界面层、利用量子限制效应等技术,使n-ZnO/p-GaN发光二极管的光谱质量和发光效率得到改善。

关 键 词:ZnO/GaN发光二极管  界面层  量子限制效应

Research Progress in Spectral Improvement of ZnO/GaN Heterojunction Light Emitting Diode
Abstract:
Keywords:
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