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| 差温生长法制备1.55μmInP／InGaAs／InP激光晶片 | |
| 引用本文： | 李雪春,赛纳.差温生长法制备1.55μmInP／InGaAs／InP激光晶片[J].大连理工大学学报,1998,38(3):270-272. |
| 作者姓名： | 李雪春 赛纳 |
| 作者单位： | [1]大连理工大学三束 [2]材料改国家重点实验室 |
| 摘 要： | 采用差温生长法制备了１．５５μｍＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双层质结激光晶片。差温生长法是在高组状态下生长ＩｎＧａＡｓＰ有源层； |
| 关 键 词： | 半导体激光器 差温生长法 激光晶片 |
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