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Mn掺杂对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜介电性能的影响
引用本文:韦其红,付兴华,侯文萍. Mn掺杂对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜介电性能的影响[J]. 济南大学学报(自然科学版), 2006, 20(3): 206-208
作者姓名:韦其红  付兴华  侯文萍
作者单位:济南大学,材料科学与工程学院,山东,济南,250022;济南大学,材料科学与工程学院,山东,济南,250022;济南大学,材料科学与工程学院,山东,济南,250022
摘    要:以醋酸盐和钛酸四丁酯为原料,采用溶胶-凝胶工艺在Pt/TiO2/SiO2/Si基片上制备了掺锰Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜。通过X射线衍射和扫描电镜分析研究了薄膜的相结构和形貌,测试了以Pt为底电极、Ag为上电极的MFM电容器的介电性能。研究结果表明:掺锰Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜较未掺杂的Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜介电常数高、介电损耗降低。介温谱表明在居里温度附近发生弥散型相变,且居里温度有向低温方向漂移的趋势。

关 键 词:钛酸锶钡  锰元素  X射线衍射  介频谱  介温谱
文章编号:1671-3559(2006)03-0206-03
修稿时间:2005-09-13

Effect of Mn-doping on the dielectric behavior of Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films
WEI Qi-hong,FU Xing-hua,HOU Wen-ping. Effect of Mn-doping on the dielectric behavior of Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films[J]. Journal of Jinan University(Science & Technology), 2006, 20(3): 206-208
Authors:WEI Qi-hong  FU Xing-hua  HOU Wen-ping
Abstract:
Keywords:barium strontium titanate  Mn  X-ray diffraction  dielectric constant-frequency  dielectric constant-temperature
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