20千周100安高频可控硅研制工作中的一些问题

本文讨论了２０千周正弦波１００安可控硅元件的关断和开通时间的对立统一关系和要求。 当关断时间控制在３到５微秒，开通时间控制在２微秒时，多数元件都能满意地工作。为增 加阴极面积，介绍了一个简单的控制极结构，测定了扩金后管芯长基区电阻率的增长情况， 选用厚度２５０微米、２０欧姆·厘米的硅片制成元件后的阻断电压达到１２００伏。