| MOSFET特性研究 |
| |
| 引用本文： | 袁占生,郑文杰. MOSFET特性研究[J]. 内蒙古民族大学学报(自然科学版), 2010, 25(1): 11-14 |
| |
| 作者姓名： | 袁占生 郑文杰 |
| |
| 作者单位： | 集美大学信息工程学院,福建,厦门,361021 |
| |
| 摘 要： | 本文介绍了N MOSFET的物理结构特性以及导电沟道形成过程与本质.详细分析与说明N MOSFET的漏极电流iD与漏源电压uDS特性表达式以及N MOSFET的物理结构、材料特性和制造工艺等对于N MOSFET特性的影响.
|
| 关 键 词： | 场效应管 低功耗 沟道 PN结 夹断 |
The Study of MOSFET |
| |
| YUAN Zhan-sheng,ZHENG Wen-jie. The Study of MOSFET[J]. Journal of Inner Mongolia University for the Nationalities(Natural Sciences), 2010, 25(1): 11-14 |
| |
| Authors: | YUAN Zhan-sheng ZHENG Wen-jie |
| |
| Affiliation: | Information Engineering College/a>;Jimei University/a>;Xiamen 361021/a>;China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | MOSFET Low power Channel PN Junction Pinch off |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
