| GaMnAs/AlAs/GaMnAs构成隧道结的隧道磁致电阻效应 |
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| 引用本文： | 鲁明亮,马丽娟,陶永春.GaMnAs/AlAs/GaMnAs构成隧道结的隧道磁致电阻效应[J].淮阴师范学院学报(自然科学版),2019,18(1). |
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| 作者姓名： | 鲁明亮 马丽娟 陶永春 |
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| 作者单位： | 南京高等职业技术学校,江苏南京,210019;南京师范大学物理科学与技术学院,江苏南京,210023 |
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| 摘 要： | 铁磁半导体构成隧道结的研究是凝聚态领域中一个重要的研究方向.k·p模型在处理半导体异质结空穴传输问题时非常有效,利用k·p模型研究GaMnAs/AlAs/GaMnAs隧道结的磁致电阻效应,通过将k·p微扰与多能带量子传输边界相结合的新方法,给出自旋量子轴的转换矩阵.计算了各种空穴的透射系数随能量的变化以及隧道结的磁致电阻,讨论了隧道磁致电阻对自旋量子轴方向的依赖关系,并对计算结果进行了理论分析.
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| 关 键 词： | 铁磁性半导体 隧道结 TMR |
Study on Magnetoresistance Effect of in GaMnAs/AlAs/GaMnAs Tunnel Junctions |
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