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| 硅外延工艺中HCl气相腐蚀技术研究 | |
| 引用本文： | 徐非.硅外延工艺中HCl气相腐蚀技术研究[J].科技咨询导报,2008(33):254-254. |
| 作者姓名： | 徐非 |
| 作者单位： | 东南大学电子科学与工程学院 |
| 摘 要： | 主要对硅外延工艺中的HCl气相腐蚀原理以及HCl气腐对外延工艺的作用进行了分析。从HCl腐蚀速率、腐蚀温度和对外延层电阻率均匀性影响等方面进行了重点研究,并采用不同的工艺条件,进行了相关的对比试验,总结了HCl气腐对外延层影响的规律。 |
| 关 键 词： | 外延层 气相腐蚀 自掺杂 |
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