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| GaP、Si和Ge在高压下的金属化相变及其测定方法 | |
| 引用本文： | 鲍忠兴.GaP、Si和Ge在高压下的金属化相变及其测定方法[J].科学通报,1984,29(14):846-846. |
| 作者姓名： | 鲍忠兴 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所 北京 (鲍忠兴，张芝婷)，中国科学院物理研究所 北京(俞汀南) |
| 摘 要： | 一、引言 近些年来,第Ⅳ族元素和Ⅲ—Ⅴ族化合物在高压下由半导体转变成金属的研究已引起人们很大的兴趣。在1973年,Van Vechten根据电负性的量子电介质理论计算了一些第Ⅳ族元素和Ⅲ—Ⅴ族化合物的P-T相图。在这前后,人们已在几种不同类型的高压装置上,采用不同的测量方法观测到一些具有共价键的第Ⅳ族元素和Ⅲ—Ⅴ族化合物在高压下由半 |
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