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| 难熔金属及硅化物薄膜制备技术研究 | |
| 引用本文： | 徐伟,胡延年.难熔金属及硅化物薄膜制备技术研究[J].天津理工学院学报,1998,14(4):71-73. |
| 作者姓名： | 徐伟 胡延年 |
| 作者单位： | [1]天津理工学院自动化系 [2]辽宁大学电子科学与工程系 |
| 摘 要： | 本文对难熔金属及其硅化物的形成，特性进行了研究。主要对难熔金属Ｍｏ、难熔金属硅化物ＴｉＳｉ，ＰｔＳｉ２等进行了探讨，采用溅射难熔金属，热硅化反应的手段，对解决ＶＬＳＩ工艺的某些问题，如：解决由于ＭＯＳ电路图形尺寸缩小带来的栅电阻增大的问题以及采用硅化物－阻挡层－Ａｌ多层金属布线，解决欧姆接触和铝的电迁移问题起了极好的作用。 |
| 关 键 词： | 磁控溅射 难熔金属 硅化物 薄膜 制备 VLSI |
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