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PLT15薄膜热释电红外传感器的研制
引用本文:曾亦可,刘梅冬,绕韫华. PLT15薄膜热释电红外传感器的研制[J]. 华中科技大学学报(自然科学版), 1999, 27(6): T15
作者姓名:曾亦可  刘梅冬  绕韫华
作者单位:华中理工大学电子科学与技术系
基金项目:国家高技术研究发展计划资助
摘    要:用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)结构衬底上沉积了高度C轴取向La改性的PbTiO3(PLT15)薄膜.研究了PLT15薄膜的电晕极化方法,用此方法同时对多个热释电敏感单元进行了极化.利用PLT15薄膜制备了热释电红外传感器,薄膜厚度是2μm,真空蒸发的Ni-Cr电极面积为1.2mm×1.0mm,敏感元下的Si(100)基片用热KOH和EPW进行刻蚀.用所设计的热释电系数测试系统对PLT15薄膜样品进行了测试,研究了其热释电特性.测试结果表明,PLT15薄膜样品的热释电电流ip平均为2.1×10-11A,而对应的热释电系数p为2.52×10-8C·(cm2·K)-1.这类薄膜很适合制备红外传感器

关 键 词:射频磁控溅射  薄膜  热释电性  红外传感器
修稿时间:1998-12-02

Preparation and Investigation of the Pyroelectric Infrared Sensors Made of PLT15 Thin Films
Zeng Yike,Liu Meidong,Rao Yunhua. Preparation and Investigation of the Pyroelectric Infrared Sensors Made of PLT15 Thin Films[J]. JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE, 1999, 27(6): T15
Authors:Zeng Yike  Liu Meidong  Rao Yunhua
Abstract:
Keywords:rf magnetron sputtering  thin fims  pyroelectric characteristics  infrared sensors  
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