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A1/Ge双层膜退火过程中多中心晶化生长的模拟
引用本文:王戴木,朱辉.A1/Ge双层膜退火过程中多中心晶化生长的模拟[J].阜阳师范学院学报(自然科学版),2002(1).
作者姓名:王戴木  朱辉
作者单位:阜阳师范学院物理系,阜阳师范学院物理系 阜阳 236032,阜阳 236032
摘    要:对 a-Ge/Al 双层膜在退火过程中出现的分形晶化现象进行了模拟研究。结果显示,各团簇的生长呈现出各向异性。分形晶化是随机相继触发形核的结果。这种多中心分形晶化图形显示出多重分形特征,用盒计数法得到了模拟图形的多重分形谱。

关 键 词:薄膜  模拟  多重分形

Simulation of Multiple Fractal Growth in a-Ge/Al Bilayer Film During Annealing
Wang Daimu Zhu Hui.Simulation of Multiple Fractal Growth in a-Ge/Al Bilayer Film During Annealing[J].Journal of Fuyang Teachers College:Natural Science,2002(1).
Authors:Wang Daimu Zhu Hui
Abstract:The fractal growth in a-Ge/A1 bilayer film during annealing has been studied by computer simulation.The fractal crystallization is due to the process of random successive nucleation.The multiple cluster pattern shows multifractal behavior.By using the box-counting method the multifractal spectrum has been obtained.
Keywords:Thin film  Simulation  Multifractal
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