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| 用非平衡磁控溅射法制备CNx薄膜 | |
| 引用本文： | 高鹏,刘传胜,等.用非平衡磁控溅射法制备CNx薄膜[J].武汉大学学报(自然科学版),2001,47(1):99-102. |
| 作者姓名： | 高鹏 刘传胜 |
| 作者单位： | 武汉大学物理科学与技术学院，湖北武汉430072 |
| 摘 要： | 利用非平衡磁控溅射法，用一对石墨溅射靶，以N2，Ar为工作气体，在Si(100)衬底上溅射生长CNx薄膜。X光电子能谱分析表明薄膜中的C，N原子以sp^3,sp^2杂化电子轨道成键形成化合物。氮碳原子比比值为1.06,1.24，傅里叶红外分析也证明了C－N的存在。X射线衍射谱显示薄膜中含有β－C3N4晶粒。实验证明，非平衡磁控溅射法是合成C3N4薄膜的有效方法。 |
| 关 键 词： | β－C3N4 非平衡磁控溅射法 薄膜 氮碳原子比 薄膜生长 X光电子能谱分析 微电子工艺 傅里叶红外分析 |
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