用非平衡磁控溅射法制备CNx薄膜 |
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作者姓名: | 高鹏 刘传胜 等 |
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作者单位: | 武汉大学物理科学与技术学院,湖北武汉430072 |
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摘 要: | 利用非平衡磁控溅射法,用一对石墨溅射靶,以N2,Ar为工作气体,在Si(100)衬底上溅射生长CNx薄膜。X光电子能谱分析表明薄膜中的C,N原子以sp^3,sp^2杂化电子轨道成键形成化合物。氮碳原子比比值为1.06,1.24,傅里叶红外分析也证明了C-N的存在。X射线衍射谱显示薄膜中含有β-C3N4晶粒。实验证明,非平衡磁控溅射法是合成C3N4薄膜的有效方法。
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关 键 词: | β-C3N4 非平衡磁控溅射法 薄膜 氮碳原子比 薄膜生长 X光电子能谱分析 微电子工艺 傅里叶红外分析 |
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