| 一种新型的高电源抑制比带隙基准源的设计 |
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| 引用本文： | 牛宗超,杨发顺,吴宗桂,丁召,张正平. 一种新型的高电源抑制比带隙基准源的设计[J]. 贵州大学学报(自然科学版), 2010, 27(2): 59-61,69 |
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| 作者姓名： | 牛宗超 杨发顺 吴宗桂 丁召 张正平 |
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| 作者单位： | 贵州大学理学院微纳电子与软件技术重点实验室,贵州,贵阳,550025;贵州大学理学院微纳电子与软件技术重点实验室,贵州,贵阳,550025;贵州大学理学院微纳电子与软件技术重点实验室,贵州,贵阳,550025;贵州大学理学院微纳电子与软件技术重点实验室,贵州,贵阳,550025;贵州大学理学院微纳电子与软件技术重点实验室,贵州,贵阳,550025 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,教育厅项目,贵州省自然科学基金,喀斯特地区灾后农村信息化建设项目子课题,贵州省科技厅中药现代化专项项目,贵州省科技厅农业攻关项目 |
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| 摘 要： | 利用有源PMOS负载反相器组成电压减法器,将电源噪声引入运放反馈,得到了一种高电源抑制比的基准电压源。对基准源的低频电源噪声抑制进行了推导和分析。仿真结果表明,在3 V电源电压下,在-40~85℃范围内,温度系数低于1.976 ppm/℃;在27℃下,1 KHz时,电源抑制比达88 dB.
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| 关 键 词： | 带隙基准源 温度系数 电源抑制 电压减法器 运放反馈 |
Design of A Novel Bandgap Voltage Reference with High Power Supply Rejection Ratio |
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| NIU Zong-chao,YANG Fa-shun,WU Zong-gui,DING Zhao,ZHANG Zheng-ping. Design of A Novel Bandgap Voltage Reference with High Power Supply Rejection Ratio[J]. Journal of Guizhou University(Natural Science), 2010, 27(2): 59-61,69 |
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| Authors: | NIU Zong-chao YANG Fa-shun WU Zong-gui DING Zhao ZHANG Zheng-ping |
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| Affiliation: | (Key Laboratory of Micro-Nano-electronics,College of Science,Guizhou University,Guiyang 550025,China) |
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| Abstract: | A new CMOS bandgap voltage reference with high power supply rejection ratio was designed by using the structure of Voltage-subtractor integrated by active PMOS,which feeds the supply noise directly into the feedback loop.PSRR of the voltage reference at low frequency was analyzed.Simulation results show that the circuit had a temperature coefficient of 1.976 ppm/℃ at 3V supply voltage from-40 to 85℃ and a PSRR up to 88dB at 27℃,1 KHz. |
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| Keywords: | bandgap reference temperature coefficient PSRR voltage-subtractor feedback loop |
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