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| SiH_3+O_2(~3Σg)反应路径的理论研究 | |
| 引用本文： | 戴国梁,吕玲玲,王冬梅,王永成,耿志远.SiH_3+O_2(~3Σg)反应路径的理论研究[J].西北师范大学学报,2005(5). |
| 作者姓名： | 戴国梁 吕玲玲 王冬梅 王永成 耿志远 |
| 作者单位： | 西北师范大学化学化工学院 甘肃兰州730070 (戴国梁，吕玲玲，王冬梅，王永成)，西北师范大学化学化工学院 甘肃兰州730070(耿志远) |
| 基金项目： | 甘肃省教育厅基金资助项目(021-22) |
| 摘 要： | 采用密度泛函B3LYP/6-311G**和高级电子相关耦合簇CCSD(T)/6-311G**方法计算并研究了SiH3与O2(3Σg)反应的机理,全参数优化了反应势能面上各驻点的几何构型,并用频率分析方法和内禀反应坐标(IRC)进行了计算,对过渡态进行了验证.结果表明:SiH3 O2(3Σg)反应可经多条路径和多个步骤,经缔合、氢转移和离解得到SiH3O2,SiH2O2 H,SiH2O OH,SiH3O O,SiHO2 H2等产物. |
| 关 键 词： | 反应机理 SiH3 氧气 密度泛函 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |