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电子束蒸发a—Si1—xCrx薄膜的电导特性研究
引用本文:甘润今,陈光华.电子束蒸发a—Si1—xCrx薄膜的电导特性研究[J].兰州大学学报(自然科学版),1994,30(2):39-43.
作者姓名:甘润今  陈光华
摘    要:本研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Cr的非晶硅基薄膜a-Si1-xCrx的变温电导特性。实验结果表明,X≤10at%的组分范围内,室温电导率由8.7×10^-6增大到7.2×10^-1Ω^-1,cm^-1,在290K到500K的范围内,薄膜的电导机制为载流子激发到导带扩展态的传导导电和EF附近的杂质定域态的载流子热激活的跳跃导电。Cr^3+离子在非晶薄膜中的存在形式,它对硅悬挂键的补偿以及掺Cr

关 键 词:电导率  非晶硅薄膜  电子束蒸发
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