| 任意纵向变掺杂横向功率器件二维耐压模型 |
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| 引用本文： | 郭宇锋,花婷婷.任意纵向变掺杂横向功率器件二维耐压模型[J].南京邮电大学学报(自然科学版),2010,30(5). |
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| 作者姓名： | 郭宇锋 花婷婷 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国博士后科学基金，电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金，江苏省高校自然科学基金 |
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| 摘 要： | 基于二维泊松方程的解,建立了漂移区全耗尽和不全耗尽情况下任意纵向掺杂的横向功率器件二维电场分布模型,进而导出了纵向和横向击穿电压表达式,得到了一个新的RESURF判据.借助此模型,研究了漂移区纵向杂质分布分别为均匀、线性递减、线性递增和高斯四种典型分布的功率器件的耐压机理和工作特性.解析结果和半导体器件仿真器MEDICI的数值结果吻合较好,验证了模型的准确性.
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| 关 键 词： | 降低表面电场 功率器件 表面电场 击穿电压 解析模型 |
A 2-D Breakdown Model of Lateral Power Device with Arbitrary Vertical Doping Profile Drift |
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| GUO Yu-feng,HUA Ting-ting.A 2-D Breakdown Model of Lateral Power Device with Arbitrary Vertical Doping Profile Drift[J].Journal of Nanjing University of Posts and Telecommunications,2010,30(5). |
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| Authors: | GUO Yu-feng HUA Ting-ting |
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