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| 在450—550℃下原位激光制备高T_c超导薄膜 | |
| 引用本文： | 安承武.在450—550℃下原位激光制备高T_c超导薄膜[J].科学通报,1991,36(20):1593-1593. |
| 作者姓名： | 安承武 |
| 作者单位： | 华中理工大学、激光技术国家实验室，华中理工大学、激光技术国家实验室，华中理工大学、激光技术国家实验室，华中理工大学、激光技术国家实验室 武汉 430074，武汉 430074，武汉 430074，武汉 430074 |
| 基金项目： | 国家教育委员会博士点基金 |
| 摘 要： | 然而,实用的制备超导薄膜的方法是被称之为低温制备法,或原位低温制备法,这种方法是指在相对低的温度下就可制取性能优良的高T。超导薄膜,而且薄膜与基片间的反应被大大减小,所以,只要能够制取优质的超导薄膜,在制备过程中所需温度越低,这种制备技术的适用性就越大,到目前为止,在较低的温度下(600—780℃)制取性能较优的高T_c超 |
| 关 键 词： | 超导薄膜 高Tc 激光 制备 原位生长 |
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