| 反应烧结碳化硅的显微组织气孔率及电阻率 |
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| 引用本文： | 吕振林,熊流峰,高积强,金志浩.反应烧结碳化硅的显微组织气孔率及电阻率[J].西安交通大学学报,1999,33(4):48-51. |
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| 作者姓名： | 吕振林 熊流峰 高积强 金志浩 |
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| 作者单位： | 西安交通大学,710049,西安 |
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| 摘 要： | 研究了反应烧结碳化硅及随后经１６５０℃和１８００℃除硅处理后，材料的显微组织与电阻率之间的关系。反应烧结碳化硅显微组织中有约２０％的游离硅存在，气孔率极低，电阻率也很低。
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| 关 键 词： | 碳化硅 反应烧结 电阻率 显微组织 气孔率 |
| 修稿时间： | 1998-07-21 |
Microstructure, Porosity and Resistivity in Reaction-Bond ed Silicon Carbide |
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| Lü Zhenlin,Xiong Liufeng,Gao Jiqiang,Jin Zhihao.Microstructure, Porosity and Resistivity in Reaction-Bond ed Silicon Carbide[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,1999,33(4):48-51. |
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| Authors: | Lü Zhenlin Xiong Liufeng Gao Jiqiang Jin Zhihao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon carbide reaction bonded resistivity |
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