|
|||||
|
|
| 英特尔公司开发提高芯片速度的新技术 | |
| 引用本文： | 刘先曙.英特尔公司开发提高芯片速度的新技术[J].科技导报(北京),2004(4):64-64. |
| 作者姓名： | 刘先曙 |
| 摘 要： | 据2003年12月3日英国《新科学家》报道:美国英特尔公司开发了一种新式秘密技术来提高奔腾和Centrino芯片的速度。芯片的传导速度取决于晶体管的开关速度,而开关速度取决于电流流过它的速度,即取决于电荷流经的距离。电流速度是由材料决定的。芯片制造商用硅做材料,通常是通过缩小晶体管来提高开关速度,但进一步缩小芯片有困难。针对此,英特尔公司开发的这种技术不用缩小晶体管,而是通过改变硅的晶体结构来提高电流速度,所以也称之为变形硅技术。电流的速度取决于硅的晶体结构。在硅晶格内部,每个原子周围的电子形成叫做“轨道式”的能态,这… |
| 关 键 词： | 英特尔公司 芯片 运算速度 硅 晶体结构 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |