| S钝化InN（OO1）面第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 戴宪起,韦俊红,田勋康.S钝化InN（OO1）面第一性原理研究[J].河南师范大学学报(自然科学版),2008,36(1):154-154. |
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| 作者姓名： | 戴宪起 韦俊红 田勋康 |
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| 作者单位： | 河南师范大学物理与信息工程学院,河南新乡453007 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（60476047）;河南省高校科技创新人才支持计划资助 |
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| 摘 要： | III族氮化物半导体是性能优越的半导体材料，在光电子器件方面已有重要的应用，特别是InN具有较小的有效电子质量，较高的室温电子迁移率以及具有半导体中最高的饱和电子漂移速度，被认为在低损耗高效电池及特殊探测器方面具有巨大的应用前景，这就引起了人们越来越多的关注．然而，几乎所有直接生长的InN薄膜都是”型的，薄膜中氧含量相当高，氧含量最高接近10%，体材料被严重污染．近年来，自从San—droff发现通过S对GaAs（001）进行简单的化学处理以后，使GaAs表面的电子性质得到了很大的改善.
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| 关 键 词： | 钝化 氧 硫 InN 第一原理 吸附能 |
| 文章编号： | 1000-2367（2008）01-0154-01 |
| 收稿时间： | 2007-12-17 |
| 修稿时间： | 2007年12月17 |
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