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| 离子溅射TiC薄膜的深度分析和表面碳偏析 | |
| 引用本文： | 朱勇.离子溅射TiC薄膜的深度分析和表面碳偏析[J].科学通报,1991,36(11):825-825. |
| 作者姓名： | 朱勇 |
| 作者单位： | 中国科学院固体物理研究所，中国科学院固体物理研究所，中国科学院固体物理研究所 合肥 230031，合肥 230031 中南工业大学测试中心，合肥 230031 |
| 摘 要： | 离子溅射制膜是近年来发展起来的一种新技术。由于所获得的溅射层有许多优点,在防腐、耐磨、装饰和制备新材料等方面得到了越来越广泛的应用,对薄膜本身的研究也日趋活跃。本文用AES研究了铜箔上TiC溅射膜升温过程中的表面成分的偏析和深度方向成分的变化。升温过程中出现碳偏析现象,可能影响薄膜的摩擦学性能。 |
| 关 键 词： | 离子溅射 TiC 薄膜 表面碳偏析 |
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