BaTiO_3半导瓷耐压与晶界电结构关系的研究

实验发现BaTiO_3半导瓷的耐电压特性,即使在材料的组分、晶粒的平均尺寸、常温电阻率以及低电压下测得的阻温特性均相同的情况下,仍存在相当大的差别。这种现象用Daniels及Heywang模型均很难解释,本文提出的双势垒模型较圆满地解释了上述实验现象,为制备高耐电压,低常温电阻率的产品提供了理论依据。