| 熔体生长CdTe单晶性质的研究 |
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| 引用本文： | 董志武.熔体生长CdTe单晶性质的研究[J].吉林大学学报(理学版),1988(1). |
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| 作者姓名： | 董志武 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子科学系 |
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| 摘 要： | 本文叙述了从熔体生长CdTe单晶的方法,并对生长的单晶中存在的主要结构缺陷进行了显微观察。用霍尔系数及电导率测量的方法研究了单晶的电学性质。由光电导光谱得到的室温本征吸收峰为1.46 eV,低温本征吸收峰为1.51eV.
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| 关 键 词： | 碲化镉单晶 载流子霍尔迁移率 载流子浓度 |
Characterization of Single Crystal GdTe Grown from Melt |
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| Dong Zhiwu.Characterization of Single Crystal GdTe Grown from Melt[J].Journal of Jilin University: Sci Ed,1988(1). |
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| Authors: | Dong Zhiwu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | cadmium tellurde single crgstl hall mobility carrier concentration |
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