| 氧化物材料中赝能隙对输运性质的影响 |
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| 引用本文： | 白文君,袁峰,冯世平. 氧化物材料中赝能隙对输运性质的影响[J]. 北京师范大学学报(自然科学版), 2000, 36(1): 54-56 |
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| 作者姓名： | 白文君 袁峰 冯世平 |
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| 作者单位： | 1. 北京师范大学物理学系,100875,北京;沈阳教育学院物理学系,110015,沈阳
2. 北京师范大学物理学系,100875,北京 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，高等学校博士学科点专项科研项目 |
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| 摘 要： | 在ｔ－Ｊ模型和Ｆｅｒｍｉｏｎ－Ｓｐｉｏｎ理论的框架下，研究了强关联氧化物超导材料的输运性质，在最佳掺杂区，系统的电阻与温度是线性关系。在欠掺杂区域，由于在低温情况下存在赝能隙减弱了带电粒子的散射，导致了电阻由在高温时与温度的线性关系转变成为低温时偏离线性关系。
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| 关 键 词： | 输运性质 氧化物材料 赝能隙 |
PSEUDOGAP EFFECT ON THE TRANSPORT IN COPPER OXIDE MATERIALS |
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| Bai Wenjun,Yuan Feng,Feng Shiping. PSEUDOGAP EFFECT ON THE TRANSPORT IN COPPER OXIDE MATERIALS[J]. Journal of Beijing Normal University(Natural Science), 2000, 36(1): 54-56 |
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| Authors: | Bai Wenjun Yuan Feng Feng Shiping |
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| Abstract: | Within the %t J% model and Fermion Spion theory, the transport property of copper oxide materials is studied. It is shown that in the optimally doped regime, the resistivity exhibits a linear behavior at high temperatures while in the underdoped regime the holon pseudogap opens at low temperatures, leading to the crossover in resistivity from the temperature linear at high temperature to the nonlinear at low temperature.; |
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| Keywords: | transport property oxide materials pseudogap |
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