PECVD 氮化硅薄膜的淀积与刻蚀

随着微细加工的研究,近年来等离子技术已发展成为大规模和超大规模集成电路(LSI 和 VLSI)工艺的重要组成部分。PECVD 等离子增强淀积 Si~3N~4除具有 APCVD 和LPCVD 的优点外,等离子激活所需的低温度范围与电极使用的 Al、Au 等金属化相容,则是 PECVD 法的突出优点。等离子刻蚀具有高分辨率和各向异性。等离子刻蚀 Si~3N~4膜,比起常规的热磷酸湿法刻蚀可以容易地达到 VLSI 工艺规范要求。其线度为微米级