| ZrC和ZrB2掺杂对PIT法制备MgB2带材的影响 |
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| 作者姓名： | 马衍伟 高召顺 |
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| 作者单位： | 中国科学院电工研究所,北京,100080 |
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| 基金项目： | 感谢日本筑波国立材料研究所Kumakura H和Matsumoto A给予的帮助.本工作为国家自然科学基金（批准号：50472063）资助项目. |
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| 摘 要： | 采用ZrC和ZrB2掺杂在常压条件下制备了MgB2/Fe超导带材. 利用X射线衍射、扫描电子显微镜、电测和磁测等手段, 重点研究了ZrC 和ZrB2掺杂对超导带材组织和性能的不同影响. 结果显示, ZrC掺杂导致带材临界电流密度的降低, 临界转变温度保持不变; ZrB2掺杂则显著提高了带材高场下的临界电流密度, 而临界转变温度略微下降了0.5 K. 实验结果表明, 采用ZrB2掺杂原位PIT技术可制备出具有高临界电流密度的MgB2带材.
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| 关 键 词： | MgB2 超导线材 粉末套管法 临界电流密度 掺杂 |
| 收稿时间： | 2005-12-12 |
| 修稿时间： | 2005-12-122006-04-13 |
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