| 一种高阶温度补偿的CMOS带隙参考源(英文) |
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| 引用本文： | 陈江华,倪学文,莫邦燹.一种高阶温度补偿的CMOS带隙参考源(英文)[J].北京大学学报(自然科学版)网络版(预印本),2007(4). |
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| 作者姓名： | 陈江华 倪学文 莫邦燹 |
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| 作者单位： | 北京大学信息科学技术学院微电子学系 北京100871 |
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| 摘 要： | 介绍了一种基于CSMC0.5-μm2P3Mn-阱混合信号CMOS工艺的高阶温度补偿的带隙参考源。该CMOS带隙参考源利用了Buck电压转换单元和与温度无关的电流,提供了一种对基极-发射极电压VBE的高阶温度补偿。它还采用共源共栅结构以提高电源抑制比。在5 V电源电压下,温度变化范围为-20 ～100℃时,该带隙参考源的温度系数为5.6 ppm/℃。当电源电压变化范围为4 ～6 V时,带隙参考源输出电压的变化为0.4 mV。
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| 关 键 词： | 模拟集成电路 CMOS 带隙参考源 低温度系数 高阶温度补偿 |
A High-Order Temperature Compensated CMOS Bandgap Reference |
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| CHEN Jianghua,NI Xuewen,MO Bangxian.A High-Order Temperature Compensated CMOS Bandgap Reference[J].Beijing University(Natural Science)Network Version(Advance Copy),2007(4). |
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| Authors: | CHEN Jianghua NI Xuewen MO Bangxian |
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| Institution: | CHEN Jianghua,NI Xuewen,MO Bangxian Department of Microelectronics,School of Electronics Engineering and Computer Science,Peking University,Beijing 100871 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | analog integrated circuits CMOS bandgap reference low temperature coefficient high-order temperature compensation |
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