| Bi2CuO4的氧渗透和高温电导性能研究 |
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| 作者单位： | 张益勋（中国科学技术大学内耗与固体缺陷开放实验室，安徽合肥 230026）;张益勋（中国科学技术大学材料科学与工程系，安徽合肥 230026）;刘卫（中国科学技术大学内耗与固体缺陷开放实验室，安徽合肥 230026）;刘卫（中国科学技术大学材料科学与工程系，安徽 合肥230026）;张国光（中国科学技术大学材料科学与工程系，安徽合肥 230026）;彭定坤（中国科学技术大学材料科学与工程系，安徽合肥 230026）;丁锦文（中国科学技术大学内耗与固体缺陷开放实验室，安徽合肥 230026）;丁锦文（中国科学技术大学材料科学与工程系，安徽合肥 230026）;陈初升（中国科学技术大学内耗与固体缺陷开放实验室，安徽合肥 230026）;陈初升（中国科学技术大学材料科学与工程系，安徽合肥 230026） |
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| 基金项目： | 国家863新材料委员会(715-006-0123)和国家自然科学基金(59782201)资助项目 |
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| 摘 要： | 通过固相烧结法制备了Bi2CuO4材料,并对其在中高温下的电导性能及氧渗透性能进行了研究.研究表明,Bi2CuO4在700℃以下时为电子导体,而在700℃以上时其离子电导随温度的增加而显著的增加,在780℃左右时与其电子电导相当,是一种较好的氧离子-电子混合导体.氧渗透测量表明在786℃时,厚度为1.72mm的样品在上表面氧分压为0.209atm,下表面氧分压为0.006atm时的氧渗透率达到5.93×10-8mol/scm2.
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| 关 键 词： | Bi2CuO4 氧渗透 混合导体 离子迁移数 |
| 文章编号： | 0253-2778(2001)05-0585-05 |
| 修稿时间： | 2001-04-03 |
Study of Oxygen Permeability and Conductivity on Bi2CuO4 |
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