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CMOS集成电路中MOS管匹配特性分析
引用本文:于雷,王雪文,邓周虎,张志勇,徐建平.CMOS集成电路中MOS管匹配特性分析[J].西北大学学报,2007,37(5):748-752.
作者姓名:于雷  王雪文  邓周虎  张志勇  徐建平
作者单位:西北大学信息科学与技术学院 陕西西安710069(于雷,王雪文,邓周虎,张志勇),骊山微电子研究所军代表室 陕西西安710054(徐建平)
摘    要:目的研究CMOS集成电路中MOS管匹配特性。方法通过分析MOS管在饱和区和线性区的工作方程,分别推导了引起MOS管电压、电流失配的因素,并分析对MOS管匹配特性的影响。结果系统地提出一些进行MOS管匹配设计的方法及应该采取的版图设计规则。结论可作为CMOS集成电路设计提供必要的理论依据。

关 键 词:电压匹配  电流匹配  MOS管失配  版图设计
文章编号:1000-274X(2007)05-0748-05
收稿时间:2006-05-11
修稿时间:2006年5月11日

Analysis and study on matching characterization of MOS transistors in CMOS integrated circuits
YU Lei,WANG Xue-wen,DENG Zhou-hu,ZHANG Zhi-yong,XU Jian-ping.Analysis and study on matching characterization of MOS transistors in CMOS integrated circuits[J].Journal of Northwest University(Natural Science Edition),2007,37(5):748-752.
Authors:YU Lei  WANG Xue-wen  DENG Zhou-hu  ZHANG Zhi-yong  XU Jian-ping
Abstract:Aim To study matching characterization of MOS transistors in CMOS integrated circuits.Methods Mismatch factors between the voltage and current of the MOS transistor were deduced by analyzing the transistor equation in saturation and linear region,and the influence of MOS transistor matching was stated.Results Some effective methods and rules for designing MOS were presented systemically.Conclusion It can be used as theoretic foundation for CMOS IC design.
Keywords:voltage matching  current matching  transistor mismatching  layout design
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