| 一种高线性的CMOS低噪声放大器结构 |
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| 引用本文： | 邓桂萍,王春华.一种高线性的CMOS低噪声放大器结构[J].湖南工程学院学报(自然科学版),2007,17(4):5-8. |
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| 作者姓名： | 邓桂萍 王春华 |
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| 作者单位： | 湘潭大学,信息工程学院,湖南,湘潭,411105;湖南大学,计算机与通信学院,湖南,长沙,410082 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60676021) |
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| 摘 要： | 采用TSMC0.35μmCMOS工艺,设计了一个5.7 GHz可用于无线局域网的低噪声放大器,电路在采用单端共源共栅结构的基础上为改善线性度而引进低频陷波网络(Low-frequency-trap Net-work),用ADS软件仿真与优化.仿真结果表明,在电源电压1.5 V情况下,噪声系数NF为1.22 dB,输入反射系数S 11为-15 dB,反向隔离性能S12为-32.9 dB,增益S21为17.8 dB,三阶交截点IIP3为 12.7 dBm,功耗为8 mW.
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 无线局域网 线性度 |
| 文章编号： | 1671-119X(2007)04-0005-04 |
| 修稿时间： | 2007年6月27日 |
A Highly Linear CMOS Low Noise Amplifier |
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| DENG Gui-ping,WANG Chun-hua.A Highly Linear CMOS Low Noise Amplifier[J].Journal of Hunan Institute of Engineering(Natural Science Edition),2007,17(4):5-8. |
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| Authors: | DENG Gui-ping WANG Chun-hua |
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| Abstract: | A 5.7 GHz CMOS low noise amplifier(LNA) implemented with TSMC 0.35 um standard CMOS tech-nology is presented.The proposed LNA introduces the low-frequency-trap network into the single-end common-source common-gate cascade topology.Simulated and analyzed by the ADS software,the following parameters are achieved: under the supply voltage of 1.5 V,the noise figure is 1.22 dB,the input reflection is-15 dB,the reverse transmitted coefficient is-32.9 dB,the gain is 17.8 dB,the IIP3 is 12.7 dBm and the power is 8mW. |
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| Keywords: | low noise amplifier wireless local network linearity |
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