| 氢化非晶硅(a-Si:H)光电导研究中的新现象 |
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| 引用本文： | 施伟华.氢化非晶硅(a-Si:H)光电导研究中的新现象[J].科学通报,1995,40(16):1461-1461. |
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| 作者姓名： | 施伟华 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系固体微结构物理实验室，南京大学物理系固体微结构物理实验室，南京大学物理系固体微结构物理实验室，南京大学物理系固体微结构物理实验室 南京210008南京邮电学院物理教研室，南京210003，南京210008，南京210008，南京210008 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 本文研究衬底温度(T_s)从室温至623K生长的氢化非晶硅的光电导的温度依赖关系.首次发现了出现光电导的热淬灭(TQ)的温度区随a-Si:H的T_s的降低系统地移向较低温度区.光电导特性是衡量非晶态半导体的一个重要参数,因为它不仅涉及到载流子的激发、俘获、复合等过程,而且与载流子的输运特性紧密联系.一些研究小组在研究结论中指出a-Si:H薄膜的光电导对于其生长参数很敏感,如掺杂浓度、生长中的射频功率等.但尚未见系统
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| 关 键 词： | 氢化非晶硅 光电导 热淬灭 |
| 收稿时间： | 1994-07-26 |
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