| Ge2Sb2Te5薄膜相变行为及其对光存储特性影响 |
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| 引用本文： | 张庆瑜,都健,潘石,等. Ge2Sb2Te5薄膜相变行为及其对光存储特性影响[J]. 大连理工大学学报, 2007, 47(6): 781-785 |
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| 作者姓名： | 张庆瑜 都健 潘石 等 |
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| 作者单位： | 大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学,物理系,辽宁,大连,116024 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射方法,在石英玻璃基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.X射线衍射分析表明:室温沉积的薄膜为非晶态;170℃真空退火后,薄膜转变为晶粒尺度约为17 nm的面心立方结构;250 ℃退火导致晶粒尺度约为40 nm的密排六方相出现.研究了室温至450℃下薄膜相变的热力学性能.差热分析显示:薄膜的非晶相向fcc相转变的相变活化能为(2.03±0.15)eV;fcc相向hex相转变的相变活化能为(1.58±0.24)eV.薄膜反射率测量表明:面心相与非晶相的反射率对比度随着波长从400 nm增加到1 000 nm在15%～30%变化,六方相与非晶相的反射率对比度在30%～40%.不同脉冲宽度的激光对非晶态薄膜的烧蚀结果显示:激光的能量密度对薄膜的记录效果有显著影响,在5 mW、50 ns的脉冲激光作用下,Ge2Sb2Te5薄膜具有最好的光存储效果.
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| 关 键 词： | Ge2Sb2Te5薄膜 射频磁控溅射 相变 光学特性 激光辐照 |
| 文章编号： | 1000-8608（2007）06-0781-05 |
| 收稿时间： | 2006-03-10 |
| 修稿时间： | 2007-09-30 |
Phase transition behavior of Ge2Sb2Te5films and its effect on optical properties |
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| ZHANG Qing-yu,DU Jian,PAN Shi,et al. Phase transition behavior of Ge2Sb2Te5films and its effect on optical properties[J]. Journal of Dalian University of Technology, 2007, 47(6): 781-785 |
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| Authors: | ZHANG Qing-yu DU Jian PAN Shi et al |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ge2Sb2Te5 film radio-frequency reactive magnetron sputtering phase transition optical properties laser radiation |
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