| 半抛物量子阱中折射率双峰结构改变的研究(英文) |
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| 作者姓名： | 杨晓东 郭康贤 |
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| 作者单位： | 广州大学物理与电子工程学院 |
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| 基金项目： | Supported by National Science Fundation of China(60878002);the Science and Technology Committee of Guangdong Province(2010A080802002,2010B080704002,2010B010800031,2010B090400130 and 8251009101000002);the Science and Technology Bureau of Guangzhou(2009J1-C421-1) |
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| 摘 要： | 吸收边缘半抛物量子阱折射率的双峰结构的改变作为入射光强度的功能一直被研究,而且已经获得运用密度矩阵和迭代法所推导的关于折射率改变的公式.并呈现了在典型的AIGaAs/GaAs量子阱中所推导的数值结果.结构表明,入射光强度和半抛物量子阱的束缚频率是对折射率双峰结构的最大影响参数.
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| 关 键 词： | 折射率改变 半抛物量子阱 量子束缚效应 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
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