| 测量InGaAsP/InP异质界面的化学斜面法 |
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| 引用本文： | 卢革宇,王贤仁,苗忠礼,关一民,程强.测量InGaAsP/InP异质界面的化学斜面法[J].吉林大学学报(理学版),1993(4). |
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| 作者姓名： | 卢革宇 王贤仁 苗忠礼 关一民 程强 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子工程系，吉林大学电子工程系，吉林大学电子工程系，吉林大学电子工程系，吉林大学电子工程系 长春 130023，长春 130023，长春 130023，长春 130023，长春 130023 |
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| 摘 要： | 本文利用AES(俄歇电子能谱)测量了InGaAsP/InP异质界面的组分分布和界面宽度,提出了化学斜面法测量界面宽度的新方法.同时讨论了晶格失配对界面宽度的影响.
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| 关 键 词： | 俄歇电子能谱 化学斜面法 界面 异质结 磷化铟 |
Chemical Bevel Method for Measuring the Interfaceof InGaAsP/InP |
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| Lu Geyu,Wang Xianren,Miao Zhongli,Guan Yimin,Cheng Qiang.Chemical Bevel Method for Measuring the Interfaceof InGaAsP/InP[J].Journal of Jilin University: Sci Ed,1993(4). |
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| Authors: | Lu Geyu Wang Xianren Miao Zhongli Guan Yimin Cheng Qiang |
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| Abstract: | The present paper covers the measurement of interface width of InGaAsP/InP. AES chemical bevel, a new method of measuring interface width, has been described. The method improves the precision of the measurement. The effect of lattice mismatch between the quar-ternary layer and the substrate has been also discussed. |
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| Keywords: | AES chemical bevel method interface measurement InP |
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