温度对ⅠD畴壁内VBL解体临界面内场的影响 |
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引用本文: | 刘素平,徐建萍,聂向富.温度对ⅠD畴壁内VBL解体临界面内场的影响[J].河北师范大学学报(自然科学版),2004,28(1):32-34. |
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作者姓名: | 刘素平 徐建萍 聂向富 |
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作者单位: | 河北师范大学,物理学院,河北,石家庄,050016;河北师范大学,物理学院,河北,石家庄,050016;河北师范大学,物理学院,河北,石家庄,050016 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(10274018);河北省自然科学基金资助项目(100147) |
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摘 要: | 实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ⅠD)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,从室温到T0范围内的任一不同温度下,ⅠD畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围H(1)ip(T),H(2)ip(T)],当Hip<H(1)ip(T)时,ID畴壁中VBL数目不变;当H(1)ip(T)<Hip<H(2)ip(T)时,ID畴壁中VBL逐渐丢失,且随面内场Hip的增大,VBL丢失得越来越多;当Hip>H(2)ip(T)时,VBL完全丢失.面内场范围H(1)ip(T),H(2)ip(T)]随温度的升高而减小,其中H(1)ip(T),H(2)ip(T)也分别随温度的升高而变小,并分别在T(1)0和T0处减小为0.
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关 键 词: | 垂直布洛赫线(VBL) 临界面内场 临界温度 第Ⅰ类哑铃畴 |
文章编号: | 1000-5854(2004)01-0032-03 |
修稿时间: | 2003年10月23 |
Influence of Temperature and In-plane Fields on Vertical Bloch Lines in the Walls of the First Kind of Dumbbell Domains |
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Abstract: | |
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