多晶硅薄膜淀积的核化和早期生长 |
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引用本文: | 郑其经,陈德英,庄庆德,吴振婵.多晶硅薄膜淀积的核化和早期生长[J].东南大学学报(自然科学版),1982(2). |
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作者姓名: | 郑其经 陈德英 庄庆德 吴振婵 |
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摘 要: | 研究了在常压SiH_4-H_2系统中,于1050C下,在不同衬底上所获得的多晶硅淀积层的结构和核化生长过程。实验发现,衬底性质对核化过程和早期淀积层结构有影响。与热生长SiQ_2衬底比较,SiO_2+Si_3N_4 复合衬底上的淀积具有核化过程发生早,岛核尺寸小密度高,淀积层晶粒细密等特点。SiO_2 同H_2及淀积硅的反应是影响高温条件下在SiO_2衬底上核化和生长的原因。文章还讨论了核化阶段的相变过程。
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