| GaN肖特基紫外探测器的电流输运研究 |
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| 引用本文： | 李福宾,林硕,李建功,沈晓明. GaN肖特基紫外探测器的电流输运研究[J]. 广西科学, 2009, 16(2): 158-160 |
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| 作者姓名： | 李福宾 林硕 李建功 沈晓明 |
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| 作者单位： | 广西大学物理科学与工程技术学院,广西南宁,530004;广西大学物理科学与工程技术学院,广西南宁,530004;广西大学物理科学与工程技术学院,广西南宁,530004;广西大学物理科学与工程技术学院,广西南宁,530004 |
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| 摘 要： | 为了探明GaN肖特基紫外探测器漏电流问题,提高探测器的性能,在已有的各种电流输运模型的基础上,把宽禁带的GaN基半导体材料（Eg〉3.4eV）看作绝缘体,用空间电荷限制电流理论（SCLC）分析由金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）生长的金属-GaN肖特基紫外探测器样品的I-V和I-V-T曲线。结果表明,SCLC机制控制的电流成分占主导地位,对于两个转换电压V1、V2,在V〈V1的区域电流电压遵循欧姆定律,在V1〈V〈V2的区域遵循幂指数规律I∝Vm,在V〉V2的区域电流电压遵循SCLC平方率。
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| 关 键 词： | GaN 肖特基 紫外探测器 电流输运 |
| 收稿时间： | 2008-11-17 |
| 修稿时间： | 2008-12-18 |
Current Transport of GaN Schottky UV Detectors |
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| LI Fu-bin,LIN Shuo,LI Jian-gong and SHEN Xiao-ming. Current Transport of GaN Schottky UV Detectors[J]. Guangxi Sciences, 2009, 16(2): 158-160 |
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| Authors: | LI Fu-bin LIN Shuo LI Jian-gong SHEN Xiao-ming |
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| Affiliation: | School of Physics Science and Engineering Technology;Guangxi University;Nanning;Guangxi;530004;China |
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| Abstract: | The anomalously large leakage current of GaN Schottky UV detectors will impact their performances.In this paper,we analyzed the I-V and I-V-T curves of the M-GaN Sckottky UV detector samples grown by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD).The space-charge-limited current(SCLC)is considered as the dominating current transport mechanism.Unlike in the case of thermal emission mechanism,the current-voltage relationship follows Ohm's law while V
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| Keywords: | GaN |
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