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小尺寸MOS器件热载流子效应模拟
引用本文:魏同立,阿野.小尺寸MOS器件热载流子效应模拟[J].应用科学学报,1989,7(2):137-142.
作者姓名:魏同立  阿野
作者单位:东南大学 (魏同立),东南大学(何野)
基金项目:中国科学院科学基金资助课题
摘    要:本文从实用的角度出发求解泊松方程.提出了一个小尺寸MOS器件热载流子效应的模拟方法.并开发了相应的模拟软件.模拟结果接近精确的二维MOST分析,并与实验吻合良好,而CPU时间却降低了1~2个数量级.

关 键 词:MOS器件  热载流子效应  模拟方法
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