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| FP—JTE终端扩展区注入剂量对击穿电压的影响 | |
| 作者姓名： | 武自录 王行业 |
| 作者单位： | [1]西安交通大学微电子工程系 [2]郑州七一三研究所 |
| 摘 要： | 提出了一种无须进行电离积分的用于高压结终端模拟的边界元素法，分析了下ＦＰ－ＪＴＥ终端结构中扩展区注入剂量对击穿电压的影响，结果表明击穿电压与注入剂量呈线性关系，场板可减弱击穿电压注入剂量的第三性。 |
| 关 键 词： | 场板 结终端扩展 终端扩展区 击穿电压 注入剂量 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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