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| 受主型热缺陷补偿的n-Ge常温下的反常伏安特性 | |
| 引用本文： | 邢旭.受主型热缺陷补偿的n-Ge常温下的反常伏安特性[J].科学通报,1991,36(6):413-413. |
| 作者姓名： | 邢旭 |
| 作者单位： | 东北师范大学物理系，东北师范大学物理系，东北师范大学物理系，东北师范大学物理系 长春 130024，长春 130024，长春 130024，长春 130024 |
| 摘 要： | 近年来,人们在各种半导体材料中不断发现了一些新的反常特性,但由于人们对这些反常特性的机理和产生的规律性看法不一,所以至今这方面的研究仍在进行中. 自n-Ge常温反常Hall效应、反常磁致电阻效应圈和反常电导效应发现以来,人们 |
| 关 键 词： | n－Ge 热缺陷 半导体 反常伏安特性 |
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