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| 溅射Ga2O3反应自组装和脉冲激光沉积(PLD)法制备GaN薄膜 | |
| 引用本文： | 伊长虹,孙振翠,刘玫,张庆刚,满宝元,薛成山.溅射Ga2O3反应自组装和脉冲激光沉积(PLD)法制备GaN薄膜[J].山东师范大学学报(自然科学版),2007,22(4):55-57. |
| 作者姓名： | 伊长虹 孙振翠 刘玫 张庆刚 满宝元 薛成山 |
| 作者单位： | 1. 山东交通学院数理学系,250023,济南;山东师范大学物理与电子科学学院,250014,济南 2. 山东交通学院数理学系,250023,济南 3. 山东师范大学物理与电子科学学院,250014,济南 |
| 基金项目： | 教育部科技重点项目;国家自然科学基金;山东交通学院校科研和教改项目 |
| 摘 要： | 用溅射Ga2O3反应自组装和脉冲激光沉积（PLD）法分别在硅和蓝宝石衬底上制备CaN薄膜,用X射线衍射图谱（XRD）和原子力显微镜（AFM）对GaN薄膜的结构和形貌进行分析,结果表明,采用两种方法在两种衬底上均可制备出结晶较好的CaN薄膜,但硅衬底上制备的GaN薄膜的晶粒明显大于在蓝宝石衬底上制备的GaN薄膜的晶粒,进一步表明硅基溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜晶化程度较高. |
| 关 键 词： | 溅射Ga2O3反应自组装 脉冲激光沉积(PLD) CaN薄膜 |
| 收稿时间： | 2007-04-29 |
| 修稿时间： | 2007年4月29日 |
THE INVESTIGATION OF GAN FILMS SYNTHESIZED THROUGH REACTIVELY RECONSTRUCTING Ga2O3 FILMS SPUTTERED AND THE PULSED LASER DEPOSITION(PLD)METHODS |
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| Yi Changhong,Sun Zhencui,Liu Mei,Zhang Qinggang,Man Baoyuan,Xue Chengshan.THE INVESTIGATION OF GAN FILMS SYNTHESIZED THROUGH REACTIVELY RECONSTRUCTING Ga2O3 FILMS SPUTTERED AND THE PULSED LASER DEPOSITION(PLD)METHODS[J].Journal of Shandong Normal University(Natural Science),2007,22(4):55-57. | |
| Authors: | Yi Changhong Sun Zhencui Liu Mei Zhang Qinggang Man Baoyuan Xue Chengshan |
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