| 非晶硅光位敏探测器的开发 |
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| 引用本文： | 杜开瑛 冯良桓. 非晶硅光位敏探测器的开发[J]. 四川大学学报(自然科学版), 1993, 30(2): 189-193 |
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| 作者姓名： | 杜开瑛 冯良桓 |
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| 作者单位： | 四川大学物理系(杜开瑛，杨熹，伍红跃)，四川大学材料科学系(冯良桓，周心明)，四川大学材料科学系(邱上源) |
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| 摘 要： | 以横向光伏效应为工作模式,采用全非晶硅的Pin结构,研制了一维可见光波段的光位敏探测器(PSD_s).测试结果表明,该探测器的光位敏度可达9.7mV/mm,光讯号—位移的线性探测区占有效探测总面积的65％,而最大有效光敏面积约为2cm~2.
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| 关 键 词： | 非晶硅 探测器 光位敏度 |
DEVELOPMENT OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON POSITION SENSITIVE DETECTOR |
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| Du Kaiying Yang Xi Wu Hangyue. DEVELOPMENT OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON POSITION SENSITIVE DETECTOR[J]. Journal of Sichuan University (Natural Science Edition), 1993, 30(2): 189-193 |
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| Authors: | Du Kaiying Yang Xi Wu Hangyue |
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| Affiliation: | Du Kaiying Yang Xi Wu Hangyue(Department of Physics)Feng Lianghuan Zhou Xinming Qiu Shangyuan (Department of Materials Science) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | amorphous silicon detector photopositional sensitivity. |
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