|
|||||
|
|
| 强发射电流反铁电冷阴极材料实验研究 | |
| 引用本文： | 盛兆玄,冯玉军,徐卓,孙新利,黄璇.强发射电流反铁电冷阴极材料实验研究[J].西安交通大学学报,2008,42(6):778. |
| 作者姓名： | 盛兆玄 冯玉军 徐卓 孙新利 黄璇 |
| 作者单位： | [1]西安交通大学电子材料研究所,西安710049 [2]第二炮兵工程学院103教研室,西安710025 |
| 摘 要： | 采用固态烧结工艺制备了位于反铁电／铁电相界附近的PbLa（Zr，Sn，Ti）O3（PLZST）反铁电陶瓷样品．通过测定样品在快速单脉冲电压激励下的电子发射特性，得到了激励电压对发射电流的影响规律，发射电流随激励电压增加而增加，当激励电压大于1．5kV时，发射电流趋于饱和．在单脉冲激励下进行电子发射实验，得到如下结果：在激励电压为800V、抽取电压为0V的条件下，发射电流密度为1．27A／cm^2；当抽取电压增加到4kV时，获得了1700A／cm^2的大发射电流密度． |
| 关 键 词： | 发射电流密度 反铁电 材料实验 冷阴极 电子发射特性 激励电压 电压激励 陶瓷样品 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |