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基于场效应管开关阵列的GEM探测器读出方式
引用本文:郑晓翠,李玉兰,来永芳,李金,李元景. 基于场效应管开关阵列的GEM探测器读出方式[J]. 清华大学学报(自然科学版)网络.预览, 2007, 0(6)
作者姓名:郑晓翠  李玉兰  来永芳  李金  李元景
作者单位:清华大学工程物理系,清华大学工程物理系,清华大学工程物理系,中国科学院高能物理研究所,清华大学工程物理系 北京100084,北京100084,北京100084解放军防化指挥工程学院,北京102205,北京100049清华大学工程物理系,北京100084,北京100084
基金项目:国家自然科学基金资助项目(10575063)
摘    要:为实现探测器信号成像要求,研究一种气体电子倍增膜(gasel ectron multiplier,GEM)探测器的读出方法。采用印刷电路技术,将读出电极盘与场效应管的分立元件组合构成阵列,通过场效应管开关阵列,读出GEM探测器信号,并实现成像。实测表明,该方法的动态范围(最大信号与噪声高宽的比值)可达7.3×104、积分非线性小于0.324%、灵敏度为2.55V/nC、可实现30帧/s的实时成像。该方法具有制作工艺简单、参数可调、成本低等优点,为随后采用厚膜技术及薄膜场效应管技术读出GEM探测器提供了重要的设计依据。

关 键 词:信号成像  读出方式  气体电子倍增膜探测器  场效应管  开关阵列

Pixel readout for GEM detectors based on switched field effect transistor array
ZHENG Xiaocui,LI Yulan,LAI Yongfang,,LI Jin,,LI Yuanjing. Pixel readout for GEM detectors based on switched field effect transistor array[J]. , 2007, 0(6)
Authors:ZHENG Xiaocui  LI Yulan  LAI Yongfang    LI Jin    LI Yuanjing
Affiliation:ZHENG Xiaocui1,LI Yulan1,LAI Yongfang1,2,LI Jin3,1,LI Yuanjing1
Abstract:
Keywords:image formation  pixel readout  gas electron multiplier(GEM)  field effect transistor(FET)  switch array
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