《半导体器件》课程中GaN基光电器件差异性教学探讨 |
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引用本文: | 余展辉,罗向东.《半导体器件》课程中GaN基光电器件差异性教学探讨[J].科技信息,2012(3):327-328. |
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作者姓名: | 余展辉 罗向东 |
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作者单位: | 南通大学专用集成电路设计重点实验室,江苏南通226019 |
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摘 要: | 在《半导体器件》课程中加强宽禁带半导体器件的教学是科学技术与国民经济快速发展对高等学校基本职能所提出的根本要求。本文阐述了把第三代宽禁带半导体GaN基光电器件作为新型半导体器件进行重点教学的必要性和意义.同时也指出需要采用差异化的教学方法来讲授新型器件在结构、工作原理与光电性能等方面的特殊表现。
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关 键 词: | 《半导体器件》课程 宽禁带半导体 GaN基光电器件 差异性教学 |
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