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| 非简谐振动对硅晶体肖脱基缺陷浓度的影响 | |
| 作者姓名： | 石东平 |
| 作者单位： | 重庆师范高等专科学校物理系,重庆,402168 |
| 摘 要： | 应用统计物理理论，导出了考虑原子作非简谐振动情况下，晶体中肖脱基缺陷数的统计计算公式；以硅晶体为例，讨论了原子的非简谐振动对肖脱基缺陷浓度的影响．结果表明：考虑了原子作非简谐振动后，所得到的肖脱基缺陷浓度计算公式更切合实际 |
| 关 键 词： | 非简谐振动；肖脱基缺陷；硅晶体 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
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